«Росэлектроника» приступила к разработке перспективных типов транзисторов
01 нояб 2016 17:40 #47680
от ICT
«Росэлектроника» (госкорпорация «Ростех») объявила о начале разработки перспективных типов транзисторов, относящихся к самым передовым мировым научно-техническим решениям. Как рассказали CNews в компании, государственный завод «Пульсар» (Москва) приступил к проектированию транзистора на основе нитрида галлия (GaN) – широкозонном полупроводнике, открывающем большие возможности в производстве блоков питания различных типов, развитии мобильной и космической связи. Специалисты предприятия планируют получить опытные образцы нового изделия уже в 2017 г. НПП «Салют» (Нижний Новгород) приступило к изысканиям в сфере создания так называемых спиновых полевых транзисторов. Этот тип полупроводниковых приборов отличает высокая скорость переключений между состояниями транзистора и низкое энергопотребление. «Новые разработки в сфере полупроводников в конечном счете обеспечивают эффективность техники будущего вне зависимости от сферы ее применения. Это основа грядущей цифровой эры. Поэтому Росэлектроника прилагает все возможные усилия для обеспечения перспективных разработок и превращения их в готовое изделие с высококонкурентными параметрами», - сказал генеральный директор «Росэлектроники» Игорь Козлов. Развитие производства мощных переключательных транзисторов, созданных на основе GaN, как ожидается, уже в ближайшее десятилетие приведет к значительному уменьшению габаритов блоков питания, адаптеров, зарядных устройств, позволит сократить массу и повысить эффективность электромобилей и гибридов. В мобильной связи пятого поколения мощные СВЧ-транзисторы на основе GaN позволят увеличить объемы передаваемого трафика за счет большего диапазона частот. На сегодня разработчики «Пульсара» совместно с институтом сверхчастотной полупроводниковой электроники РАН (Москва) провели работы по созданию приемопередающих модулей в диапазонах 23-25 ГГц и 57-64 ГГц. Это позволит уже в ближайшее время выпускать монолитные интегральные схемы на основе широкозонных полупроводников. Приборы на основе GaN обладают высокой радиационной стойкостью, что обуславливает их широкое проникновение в отрасль космической связи. Серийное производство спиновых транзисторов в настоящее время еще нигде в мире не налажено. Специалисты «Салюта» совместно с учеными научно-исследовательского физико-технического института Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевского проводят аналитические исследования и патентные поиски в сфере спиновых транзисторов. Основная идея спиновых транзисторов заключается в том, что электроны, инжектируемые в канал транзистора, проходят через ферромагнитный «исток», где приобретают определенную поляризацию. Под действием приложенного электромагнитного поля в канале спины электронов испытывают прецессию и подходят к уже ферромагнитному «стоку». Направление поляризации спина электронов определяется приложенным напряжением на затворе. Существуют два варианта, когда спин-поляризованный ток проходит через «сток», либо же, когда спинового тока нет. Технологически процесс изготовления спиновых транзисторов, как ожидается, подобен технологиям создания традиционных полевых транзисторов, что существенно удешевляет планируемое производство. Your browser does not support the video tag.
CNews Forum 2016: Информационные технологии завтра
Ссылка на источник
Пожалуйста Войти или Регистрация, чтобы присоединиться к беседе.
Похожие статьи
Тема | Релевантность | Дата |
---|---|---|
«Ангстрем» разработал 95 типов новых силовых транзисторов | 17.3 | Понедельник, 26 февраля 2018 |
Qiwi в составе ассоциации «Финтех» приступила к развитию перспективных финансовых технологий | 15.04 | Четверг, 02 февраля 2017 |
"Росэлектроника" начала выпуск транзисторов для сетей 5G | 14.55 | Пятница, 22 декабря 2017 |
Росэлектроника создала универсальный тестер параметров транзисторов | 14.4 | Среда, 28 декабря 2016 |
Apple приступила к разработке iPhone 8 | 13.91 | Четверг, 29 сентября 2016 |
Samsung приступила к разработке прошивки для Galaxy S8 | 13.76 | Понедельник, 17 октября 2016 |
GS Group приступила к разработке российских SSD-накопителей для бизнеса | 13.61 | Вторник, 16 августа 2016 |
Apple, по слухам, приступила к разработке гибкого iPhone | 13.61 | Пятница, 13 октября 2017 |
«Росэлектроника» приступила к производству систем «Умный дом» | 13.51 | Среда, 21 февраля 2018 |
«Эттон Груп» приступила к разработке электронной территориальной схемы обращения с отходами Курганской области | 12.92 | Вторник, 11 июня 2019 |