Toshiba разработала технологический процесс DTMOS V для изготовления МОП-транзисторов Superjunction

19 мая 2016 11:01 #38759 от ICT
Компания Toshiba Electronics Europe объявила о разработке технологического процесса производства полупроводниковых приборов Superjunction (SJ) с глубокой канавкой нового поколения для изготовления МОП-транзисторов. Устройства, изготовленные на основе нового технологического процесса DTMOS V, обеспечивают снижение уровня шума от электромагнитных помех и сопротивления в открытом состоянии (RDS(ON)) по сравнению с МОП-транзисторами на основе предыдущего технологического процесса DTMOS IV, сообщили CNews в Toshiba. Как и предыдущая технология производства полупроводниковых приборов DTMOS IV, технология DTMOS V предусматривает один эпитаксиальный процесс с «травлением глубоких канавок» и последующим формированием эпитаксиального слоя p-типа). «Процесс заполнения глубоких канавок позволяет сократить шаг между ячейками и снизить RDS(ON) по сравнению с более традиционными планарными технологическими процессами, — пояснили в компании. — Технологический процесс с глубокой канавкой от Toshiba обеспечивает лучшее значение теплового коэффициента RDS(ON) по сравнению с традиционными МОП-транзисторами Superjunction на основе многостадийного эпитаксиального процесса». Так, по оценкам Toshiba, благодаря технологическому процессу DTMOS V компании удалось добиться снижения RDS(ON) в транзисторе TK290P60Y в корпусе DPAK до 17% по сравнению с МОП-транзистором TK12P60W, обладающим минимальным значением RDS(ON) среди устройств на основе технологии DTMOS IV. Toshiba также удалось дополнительно оптимизировать соотношение эффективности переключения и шумов от электромагнитных помех.
Технологический процесс DTMOS V позволяет создавать компактные МОП-транзисторы МОП-транзисторы на основе технологии DTMOS V позволят упростить конструкцию силовых преобразователей, в том числе импульсных источников питания, устройств компенсации реактивной мощности (PFC), светодиодных осветительных приборов и других устройств с преобразованием переменного тока в постоянный. Первые МОП-транзисторы на основе технологического процесса пятого поколения будут иметь номинальное напряжение 600 и 650 В и будут выпускаться в корпусах DPAK (TO-252) и TO-220SIS (с «умной изоляцией»). Максимальные значения сопротивления в открытом состоянии будут составлять всего от 0,29 до 0,56 Ом. Для заказа ознакомительных образцов необходимо обратиться в компанию Toshiba. Ссылка на источник


  • Сообщений: 103416

  • Пол: Не указан
  • Дата рождения: Неизвестно
  • Пожалуйста Войти или Регистрация, чтобы присоединиться к беседе.

    Похожие статьи

    ТемаРелевантностьДата
    Toshiba расширила линейку МОП-транзисторов U-MOS IX-H14.85Вторник, 08 ноября 2016
    Toshiba представила компактные матрицы высоковольтных управляющих транзисторов14.37Пятница, 23 сентября 2016
    Toshiba представила серию планарных МОП-транзисторов следующего поколения на 600 В14.37Среда, 28 марта 2018
    Toshiba представила матрицы транзисторов с ДМОП-драйвером с отрицательной логикой на 1,5 А14.22Пятница, 13 мая 2016
    Toshiba начала выпуск серии высоковольтных МОП-транзисторов для быстродействующих коммутационных устройств14.07Среда, 13 апреля 2016
    Toshiba разработала 3D-экран с разрешением Ultra HD, 3D-очки при этом не нужны11.45Вторник, 30 декабря 2014
    Toshiba Memory Europe разработала 96-слойную флеш-память по технологии QLC11.45Среда, 29 августа 2018
    Samsung меняет технологию изготовления изогнутых экранов9.06Четверг, 30 апреля 2015
    Amazon запатентовала систему изготовления заказов во время доставки8.96Среда, 04 марта 2015
    Санкции США увеличили сроки изготовления ряда спутников в РФ на два года8.96Среда, 10 июня 2015

    Мы в соц. сетях