Samsung запустила серийное производство 512-гигабайтной памяти eUFS 3.0

Samsung Electronics объявила о запуске серийного производства первой в отрасли 512-гигабайтной (ГБ) встроенной памяти Universal Flash Storage (eUFS) 3.0, предназначенной для мобильных устройств нового поколения. В соответствии с новейшей спецификацией eUFS 3.0, новая память Samsung обеспечивает рост скорости вдвое по сравнению с предыдущей памятью eUFS (eUFS 2.1), что позволит мобильной памяти поддерживать взаимодействие с пользователем в будущих смартфонах с ультрабольшими экранами высокого разрешения. «Запуск серийного производства нашей линейки eUFS 3.0 дает нам большое преимущество на мобильном рынке нового поколения, так как мы предлагаем скорость чтения памяти, которая раньше была доступна только на ультратонких ноутбуках, — отметил Чеол Чой, исполнительный вице-президент отдела продаж и маркетинга устройств памяти, Samsung Electronics. — По мере расширения нашей линейки eUFS 3.0, включая 1-терабайтную (ТБ) версию, которая будет выпущена позднее в этом году, мы ожидаем, что она будет играть важную роль в плане ускорения роста рынка мобильных устройств премиум-уровня». Компания Samsung выпустила первый в отрасли интерфейс UFS, который поддерживался в eUFS 2.0, в январе 2015 г. Он работал в 1,4 раза быстрее, чем eMMC 5.1 — стандарт мобильной памяти на то время. Через четыре года новейший стандарт eUFS 3.0 от компании демонстрирует показали производительности, сравнимые с современными ультратонкими ноутбуками. Память 512 ГБ eUFS 3.0 от Samsung объединяет восемь 512-гигабитных (Гб) чипов V-NAND пятого поколения, а также высокопроизводительный контроллер. При скорости 2 100 МБ/с показатель новой памяти eUFS в два раза превышает скорость последовательного чтения новейшей памяти eUFS (eUFS 2.1) Samsung, о которой было объявлено в январе 2019 г. Скорость чтения нового решения в четыре раза выше скорости твердотельных дисков (SSD) SATA и в 20 раз быстрее типичной карты microSD, что позволяет смартфонам премиум-уровня передавать фильм Full HD на ПК примерно за три секунды. Кроме того, скорость последовательной записи также увеличилась на 50% до 410 МБ/с, что соответствует показателям твердотельных дисков SATA. Показатели скорости произвольного чтения и записи новой памяти также демонстрируют рост 36% по сравнению с текущей отраслевой спецификацией eUFS 2.1: 63 тыс. и 68 тыс. операций ввода-вывода в секунду (IOPS) соответственно. Благодаря значительному росту скорости произвольного чтения и записи, которая более чем в 630 раз превосходит показатели обычных карт microSD (100 операций ввода-вывода в секунду), можно запустить несколько сложных приложений одновременно на мобильных устройствах, особенно последнего поколения, получая при этом улучшенный отклик. После выпуска версий 512 ГБ и 128 ГБ eUFS 3.0, запланированного на этот месяц, компания Samsung планирует добавить модели 1 ТБ и 256 ГБ во втором полугодии, формируя таким образом полноценную линейку eUFS 3.0. Ссылка на источник